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STF33N65M2
STMicroelectronics

STF33N65M2

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP
Sans plomb / conforme à la directive RoHS

Demande de prix et délais

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Paramètres de produit

Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±25V
La technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur
TO-220FP
Séries
MDmesh™ M2
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140 mOhm @ 12A, 10V
Dissipation de puissance (max)
34W (Tc)
Emballage
Tube
Package / Boîte
TO-220-3 Full Pack
Autres noms
497-15535-5
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1790pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
41.5nC @ 10V
type de FET
N-Channel
Fonction FET
-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
10V
Tension drain-source (Vdss)
650V
Description détaillée
N-Channel 650V 24A (Tc) 34W (Tc) Through Hole TO-220FP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
24A (Tc)

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