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STD45N10F7
STMicroelectronics

STD45N10F7

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 45A DPAK
Sans plomb / conforme à la directive RoHS

Demande de prix et délais

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Paramètres de produit

Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Vgs (Max)
20V
La technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur
DPAK
Séries
DeepGATE™, STripFET™ VII
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 22.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)
60W (Tc)
Emballage
Cut Tape (CT)
Package / Boîte
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms
497-14532-1
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1640pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
type de FET
N-Channel
Fonction FET
-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
10V
Tension drain-source (Vdss)
100V
Description détaillée
N-Channel 100V 45A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
45A (Tc)
Numéro de pièce de base
STD45N10

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