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STW20NM50FD
STMicroelectronics

STW20NM50FD

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
Sans plomb / conforme à la directive RoHS

Demande de prix et délais

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Paramètres de produit

Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Vgs (Max)
±30V
La technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur
TO-247-3
Séries
FDmesh™
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250 mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (max)
214W (Tc)
Emballage
Tube
Package / Boîte
TO-247-3
Autres noms
497-2717-5
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant
42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1380pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 10V
type de FET
N-Channel
Fonction FET
-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
10V
Tension drain-source (Vdss)
500V
Description détaillée
N-Channel 500V 20A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-247-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
20A (Tc)

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