Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > BU808DFI
BU808DFI
STMicroelectronics
TRANS NPN DARL 700V ISOWATT218
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Demande de prix et délais
BU808DFI sont disponibles, nous pouvons fournir BU808DFI, utilisez le formulaire de demande de devis pour demander BU808DFI pirce et délai d'exécution.Atosn.com un distributeur de composants électroniques professionnel.Nous avons un grand inventaire et pouvons une livraison rapide, contactez-nous aujourd'hui et notre représentant des ventes vous fournira le prix et les détails d'expédition sur la pièce # BU808DFI .Incluez les problèmes de dédouanement pour correspondre à votre pays, nous avons une équipe de vente professionnelleet équipe technique, nous sommes impatients de travailler avec vous.
Citation requise
Paramètres de produit
- Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
- 700V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
- 1.6V @ 500mA, 5A
- Transistor Type
- NPN - Darlington
- Package composant fournisseur
- ISOWATT-218
- Séries
- -
- Puissance - Max
- 52W
- Emballage
- Tube
- Package / Boîte
- ISOWATT-218-3
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
- Type de montage
- Through Hole
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Fréquence - Transition
- -
- Description détaillée
- Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 700V 8A 52W Through Hole ISOWATT-218
- Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
- 60 @ 5A, 5V
- Courant - Collecteur Cutoff (Max)
- 400µA
- Courant - Collecteur (Ic) (max)
- 8A
produits similaires
- STMicroelectronics BU808DFI
- Fiche technique BU808DFI
- Fiche technique BU808DFI
- Fiche technique pdf BU808DFI
- Télécharger la fiche technique BU808DFI
- Image BU808DFI
- Pièce BU808DFI
- ST BU808DFI
- STMicroelectronics BU808DFI