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IXFK24N100F
IXYS RF
MOSFET N-CH 1000V 24A TO264
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
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Citation requise
Paramètres de produit
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 5.5V @ 8mA
- Vgs (Max)
- ±20V
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Package composant fournisseur
- TO-264 (IXFK)
- Séries
- HiPerRF™
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 390 mOhm @ 12A, 10V
- Dissipation de puissance (max)
- 560W (Tc)
- Emballage
- Tube
- Package / Boîte
- TO-264-3, TO-264AA
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Through Hole
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Délai de livraison standard du fabricant
- 14 Weeks
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 6600pF @ 25V
- Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 195nC @ 10V
- type de FET
- N-Channel
- Fonction FET
- -
- Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
- 10V
- Tension drain-source (Vdss)
- 1000V
- Description détaillée
- N-Channel 1000V 24A (Tc) 560W (Tc) Through Hole TO-264 (IXFK)
- Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
- 24A (Tc)
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