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STW11NB80
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
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Citation requise
Paramètres de produit
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 5V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±30V
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Package composant fournisseur
- TO-247-3
- Séries
- PowerMESH™
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 800 mOhm @ 5.5A, 10V
- Dissipation de puissance (max)
- 190W (Tc)
- Emballage
- Tube
- Package / Boîte
- TO-247-3
- Autres noms
- 497-2789-5
- Température de fonctionnement
- 150°C (TJ)
- Type de montage
- Through Hole
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Contains lead / RoHS non-compliant
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 2900pF @ 25V
- Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 70nC @ 10V
- type de FET
- N-Channel
- Fonction FET
- -
- Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
- 10V
- Tension drain-source (Vdss)
- 800V
- Description détaillée
- N-Channel 800V 11A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3
- Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
- 11A (Tc)
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