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STB42N60M2-EP
STMicroelectronics

STB42N60M2-EP

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAK
Sans plomb / conforme à la directive RoHS

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Paramètres de produit

Vgs (th) (Max) @ Id
4.75V @ 250µA
Vgs (Max)
±25V
La technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur
D2PAK
Séries
MDmesh™ M2-EP
Rds On (Max) @ Id, Vgs
87 mOhm @ 17A, 10V
Dissipation de puissance (max)
250W (Tc)
Emballage
Original-Reel®
Package / Boîte
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms
497-15896-6
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant
42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2370pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
55nC @ 10V
type de FET
N-Channel
Fonction FET
-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
10V
Tension drain-source (Vdss)
600V
Description détaillée
N-Channel 600V 34A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
34A (Tc)

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