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CSD16411Q3
MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
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Citation requise
Paramètres de produit
- Tension - Test
- 570pF @ 12.5V
- Tension - Ventilation
- 8-VSON (3.3x3.3)
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 10 mOhm @ 10A, 10V
- Vgs (Max)
- 4.5V, 10V
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Séries
- NexFET™
- État RoHS
- Tape & Reel (TR)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 14A (Ta), 56A (Tc)
- Polarisation
- 8-PowerVDFN
- Autres noms
- 296-24255-2
CSD16411Q3/2801
CSD16411Q3/2801-ND
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Délai de livraison standard du fabricant
- 12 Weeks
- Référence fabricant
- CSD16411Q3
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 3.8nC @ 4.5V
- type de IGBT
- +16V, -12V
- Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 2.3V @ 250µA
- Fonction FET
- N-Channel
- Description élargie
- N-Channel 25V 14A (Ta), 56A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
- Tension drain-source (Vdss)
- -
- La description
- MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
- Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
- 25V
- Ratio de capacité
- 2.7W (Ta)
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