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STH110N10F7-2
STMicroelectronics
MOSFET N CH 100V 110A H2PAK
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
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Citation requise
Paramètres de produit
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4.5V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Package composant fournisseur
- H2Pak-2
- Séries
- DeepGATE™, STripFET™ VII
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 6.5 mOhm @ 55A, 10V
- Dissipation de puissance (max)
- 150W (Tc)
- Emballage
- Cut Tape (CT)
- Package / Boîte
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Autres noms
- 497-13549-1
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Délai de livraison standard du fabricant
- 38 Weeks
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 5117pF @ 50V
- Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 72nC @ 10V
- type de FET
- N-Channel
- Fonction FET
- -
- Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
- 10V
- Tension drain-source (Vdss)
- 100V
- Description détaillée
- N-Channel 100V 110A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
- Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
- 110A (Tc)
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