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STW35N60DM2
STMicroelectronics

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Paramètres de produit

Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Vgs (Max)
±25V
La technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur
TO-247
Séries
MDmesh™ DM2
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 14A, 10V
Dissipation de puissance (max)
210W (Tc)
Emballage
Tube
Package / Boîte
TO-247-3
Autres noms
497-16356-5
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant
42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2400pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
54nC @ 10V
type de FET
N-Channel
Fonction FET
-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
10V
Tension drain-source (Vdss)
600V
Description détaillée
N-Channel 600V 28A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-247
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
28A (Tc)

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