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STW25N60M2-EP
STMicroelectronics

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    STW25N60M2-EP sont disponibles, nous pouvons fournir STW25N60M2-EP, utilisez le formulaire de demande de devis pour demander STW25N60M2-EP pirce et délai d'exécution.Atosn.com un distributeur de composants électroniques professionnel.Nous avons un grand inventaire et pouvons une livraison rapide, contactez-nous aujourd'hui et notre représentant des ventes vous fournira le prix et les détails d'expédition sur la pièce # STW25N60M2-EP .Incluez les problèmes de dédouanement pour correspondre à votre pays, nous avons une équipe de vente professionnelleet équipe technique, nous sommes impatients de travailler avec vous.


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    Paramètres de produit

    Vgs (th) (Max) @ Id
    4.75V @ 250µA
    Vgs (Max)
    ±25V
    La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
    Package composant fournisseur
    TO-247
    Séries
    MDmesh™ M2-EP
    Rds On (Max) @ Id, Vgs
    188 mOhm @ 9A, 10V
    Dissipation de puissance (max)
    150W (Tc)
    Emballage
    Tube
    Package / Boîte
    TO-247-3
    Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    Type de montage
    Through Hole
    Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
    Délai de livraison standard du fabricant
    42 Weeks
    Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
    Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    1090pF @ 100V
    Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    29nC @ 10V
    type de FET
    N-Channel
    Fonction FET
    -
    Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
    Tension drain-source (Vdss)
    600V
    Description détaillée
    N-Channel 600V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247
    Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    18A (Tc)

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