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STV160NF02LAT4
STMicroelectronics

STV160NF02LAT4

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Paramètres de produit

Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Vgs (Max)
±15V
La technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur
10-PowerSO
Séries
STripFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.7 mOhm @ 80A, 10V
Dissipation de puissance (max)
210W (Tc)
Emballage
Tape & Reel (TR)
Package / Boîte
PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut sans plomb / Statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
5500pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
175nC @ 10V
type de FET
N-Channel
Fonction FET
-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)
20V
Description détaillée
N-Channel 20V 160A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount 10-PowerSO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
160A (Tc)

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