STS9P3LLH6
Demande de prix et délais
STS9P3LLH6 sont disponibles, nous pouvons fournir STS9P3LLH6, utilisez le formulaire de demande de devis pour demander STS9P3LLH6 pirce et délai d'exécution.Atosn.com un distributeur de composants électroniques professionnel.Nous avons un grand inventaire et pouvons une livraison rapide, contactez-nous aujourd'hui et notre représentant des ventes vous fournira le prix et les détails d'expédition sur la pièce # STS9P3LLH6 .Incluez les problèmes de dédouanement pour correspondre à votre pays, nous avons une équipe de vente professionnelleet équipe technique, nous sommes impatients de travailler avec vous.
Citation requise
Paramètres de produit
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Package composant fournisseur
- 8-SO
- Séries
- STripFET™ H6
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 15 mOhm @ 4.5A, 10V
- Dissipation de puissance (max)
- 2.7W (Ta)
- Emballage
- Tape & Reel (TR)
- Package / Boîte
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 2615pF @ 25V
- Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 24nC @ 4.5V
- type de FET
- P-Channel
- Fonction FET
- -
- Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
- 4.5V, 10V
- Tension drain-source (Vdss)
- 30V
- Description détaillée
- P-Channel 30V 9A (Ta) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-SO
- Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
- 9A (Ta)
produits similaires
- STMicroelectronics STS9P3LLH6
- Fiche technique STS9P3LLH6
- Fiche technique STS9P3LLH6
- Fiche technique pdf STS9P3LLH6
- Télécharger la fiche technique STS9P3LLH6
- Image STS9P3LLH6
- Pièce STS9P3LLH6
- ST STS9P3LLH6
- STMicroelectronics STS9P3LLH6