STS4DNFS30
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Citation requise
Paramètres de produit
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Package composant fournisseur
- 8-SO
- Séries
- STripFET™
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 55 mOhm @ 2A, 10V
- Dissipation de puissance (max)
- 2W (Tc)
- Emballage
- Cut Tape (CT)
- Package / Boîte
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Autres noms
- 497-6187-1
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 330pF @ 25V
- Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 4.7nC @ 5V
- type de FET
- N-Channel
- Fonction FET
- Schottky Diode (Isolated)
- Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
- 5V, 10V
- Tension drain-source (Vdss)
- 30V
- Description détaillée
- N-Channel 30V 4.5A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount 8-SO
- Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
- 4.5A (Tc)
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